SiC керамикалык тигель

SiC керамикалык тигел SiC жана GaN кристаллынын өсүшү, эпитаксиалдык чөкүү, диффузия жана жогорку температурада күйгүзүү сыяктуу процесстерде критикалык кармоочу жана реакциялык идиш катары кызмат кылат, мында тазалык, туруктуулук жана температуранын бирдейлиги пластинанын түшүмдүүлүгүн жана кристаллдын сапатын түздөн-түз аныктайт.

Материалдык мүнөздөмөлөр

● Материалдык курамы: Ультра таза агломерацияланган SiC же CVD-SiC (≥99.9%)

● Тыгыздыгы жана микроструктурасы: Толук тыгыз, майда бүртүкчөлүү жана газ өткөргүчтүүлүгү үчүн көзөнөктүү эмес түзүлүш

● Термикалык туруктуулук: инерттүү же реактивдүү газ атмосферасында 2000°Cге чейин мыкты аткаруу

● Жылуулук өткөрүмдүүлүк: 120–200 Вт/м·К, жогорку температуранын бирдейлигин камсыз кылуу

● Коррозияга туруктуулугу: Суутек, хлор жана галогендин негизиндеги процесстик газдардагы эң сонун туруктуулук

● Бети: Күзгү менен жылмаланган жана плазма менен тазаланган, бөлүкчөлөрдүн пайда болушун азайтат

Жарым өткөргүч өндүрүшүндөгү негизги колдонмолор

SiC керамикалык тигел жарым өткөргүчтөрдү өндүрүүнүн бир нече этаптарында маанилүү ролду ойнойт, анын ичинде:

1. Crystal Growth and Epitaxy

PVT (Физикалык буу транспорту) жана CVD эпитаксиалдык өсүү системаларында колдонулган SiC тигелдери баштапкы материалдар жана өсүп жаткан кристаллдар үчүн туруктуу, реактивдүү эмес контейнерди камсыз кылат.

Алардын жогорку тазалыгы жана дал келген жылуулук кеңейүү коэффициенти булганууну жана стрессти азайтып, SiC, GaN жана Ga₂O₃ субстраттары үчүн дефектсиз кристалл түзүлүшүн камсыз кылат.

2. Жогорку температурадагы диффузия жана күйүү

Термикалык тазалоодо, диффузияда жана кычкылдануу процесстеринде SiC тигелдери экстремалдык термикалык циклде өзүнүн формасын жана химиялык бүтүндүгүн сактап, вафлидин сапатын начарлатуучу газдын чыгып кетишин жана бөлүкчөлөрдүн бөлүнүп чыгышын алдын алат.

3. Материалды агломерациялоо жана порошокту иштетүү

SiC тигелдери ошондой эле жарым өткөргүч классындагы порошок агломерациялоо үчүн идеалдуу болуп саналат, вакуумда же көзөмөлдөнүүчү атмосфера шарттарында жогорку температурадагы химиялык инерттикти жана өлчөмдүү туруктуулукту сунуш кылат.

Semixlab'тин артыкчылыктары

Semixlab Semiconductor компаниясында биз жөн гана компоненттер менен камсыз кылбастан, жарым өткөргүч өндүрүшүнүн катуу талаптарын канааттандыруу үчүн комплекстүү инженердик чечимдерди сунуштайбыз.

1. Ыңгайлаштырылган Дизайн

● Ыңгайлаштырылган тигелдин геометриясы, калыңдыгы жана газ киргизүү конфигурациясы.

● негизги кристалл өсүшү жана CVD системалары менен шайкеш (LPE, PVT, AIXTRON, Veeco, ж.б.).

2. Техникалык консультация

● 20 жылдан ашык өнөр жай тажрыйбасы бар үй-материал таануучулар жана инженер-технологдор.

● Термикалык дизайнды, газ агымын симуляциялоону жана процессти далдаштырууну колдоо.

3. Сапатты жеткирүүгө чейинки кепилдик

● Ар бир тигел өлчөмдүү тактык текшерүүсүнөн, гелийдин агып чыгышын текшерүүдөн жана беттин тегиздигин талдоодон өтөт.

● Өмүрүнүн узактыгы жана тазалыгы үчүн кошумча CVD коргоочу каптоо жана күзгү менен жылмалоо кызматтары.

Semixlab SiC керамикалык тигель өнүккөн жарым өткөргүчтөрдү иштетүүдө жылуулук туруктуулугу, тазалыгы жана химиялык туруктуулугу үчүн жаңы эталонду белгилейт. Ыңгайлаштырылган дизайн варианттары, техникалык консультациялар жана жөнөтүү алдындагы катуу текшерүү менен Semixlab ар бир продукттун жогорку температурадагы, жогорку тазалыктагы жарым өткөргүч колдонмолорунун талап кылынган талаптарына жооп берерин камсыздайт. Биз сиздин мындан аркы суроолоруңузду күтөбүз.