Кремний карбид каптоо Graphite лоток

Semixlab атайын Graphite чийки зат кремний карбид каптоо Graphite лоток үчүн

Semixlab Technology компаниясында биздин кремний карбид (SiC) менен капталган графит лотокторубуз эң талап кылынган жарым өткөргүч процесстеринин чөйрөлөрүндө – экстремалдык температуралар, коррозиялуу газдар жана өтө таза шарттарда ишенимдүү иштөө үчүн иштелип чыккан. Бул лотоктор жогорку тыгыздыктагы изостатикалык графиттин жылуулук жана механикалык артыкчылыктарын тыгыз CVD кремний карбид каптоосунун өзгөчө химиялык туруктуулугу жана бетинин бүтүндүгү менен айкалыштырат. Натыйжа процесстин бирдейлигин, түшүмдүүлүктүн ырааттуулугун жана алдыңкы пластиналарды жасоонун ар кандай кадамдарында шаймандын иштөө убактысын сактоодо маанилүү ролду ойногон, бекем, жогорку тазалыктагы компонент болуп саналат.

Эпитаксиалдык өсүү системаларынын ичинде, анын ичинде кремний (Si) жана кремний карбиди (SiC) эпитаксиясы — SiC капталган графит табагы так пластинка алып жүрүүчү же сезгич база катары иштейт. Бул пленканын калыңдыгын көзөмөлдөө, коштоочу заттын бирдейлиги жана кристаллдын сапаты үчүн маанилүү болгон пластинка бетинде бирдей температуранын бөлүштүрүлүшүн сактоо менен туруктуу механикалык колдоону камсыз кылат. SiC каптоо графиттик субстратты H₂, HCl жана SiHCl₃ сыяктуу реактивдүү газдардан бөлүп, көмүртектин булганышын же газ фазалык реакцияларды болтурбай турган химиялык инерттүү тосмо катары иштейт. Анын күзгүдөй жылмакай бети бөлүкчөлөрдүн пайда болушун азайтат жана 1650 °Cге чейинки жогорку температуралуу шарттарда бузулбастан узак мөөнөттүү иштөөгө мүмкүндүк берет.

Кремний карбид каптоо Graphite лоток Колдонуу сценарийлери

MOCVD жана GaN, GaAs жана InP түзмөгүн жасоо үчүн колдонулган татаал жарым өткөргүчтүн тундурма процесстеринде лоток суутек жана аммиак негизиндеги химиялык заттардын көп жолу таасир этүүгө туруштук бере турган жогорку температурадагы пластинаны алып жүрүүчү катары кызмат кылат. SiC каптоосунун жогорку коррозияга туруктуулугу эрозияны жана беттин орой болушун алдын алып, ырааттуу пленканын морфологиясын жана компоненттин иштөө мөөнөтүн узартат. Бул туруктуулук түздөн-түз болжолдонгон өсүү шарттарына жана LED, кубаттуулук жана RF түзмөктөрүн өндүрүү үчүн жабдуулардын жогорку өтүмдүүлүгүнө алып келет.

SiC капталган графит табак диффузия, кычкылдануу, күйдүрүү жана тез термикалык иштетүү (RTP) чөйрөлөрүндө чечүүчү ролду ойнойт. Бул жогорку температуралык кадамдар учурунда лоток пластинкалардын тегиздигин сактаган, кычкылданууга каршы турган жана термикалык бурмалоону минималдаштыруучу колдоо платформасы катары иштейт. Анын жогорку жылуулук өткөргүчтүгү жылуулукту тез жана бир калыпта өткөрүүгө мүмкүндүк берип, температураны так көзөмөлдөөгө мүмкүндүк берет жана вафлидеги жылуулук стрессти азайтат. SiC тосмо андан ары газдан чыгуудан жана металлдын булгануусунан коргойт - өнүккөн аппаратты өндүрүүдө түшүмдү жоготуунун эки негизги себеби.

Бардык ушул колдонмолордо, Semixlab SiC капталган графит лоток механикалык түзүлүш катары эле эмес, бүт өндүрүш кадамынын жылуулук, химиялык жана тазалык туруктуулугун аныктаган тактык менен иштелип чыккан процесс интерфейси катары иштейт. CVD жабуунун алдыңкы технологиясын, жогорку тазалыктагы материалды тандоону жана катуу геометриялык көзөмөлдү айкалыштыруу менен, Semixlab заманбап жарым өткөргүч фабрикаларынын катуу ишенимдүүлүк жана тазалык стандарттарына жооп берген компоненттерди камсыз кылат. Ар бир лоток бир нече процесс циклдеринде кайталануучу аткаруу үчүн иштелип чыккан, бул дүйнөлүк өндүрүүчүлөр талап кылган шаймандардын жогорку түшүмдүүлүгүн, кемчиликтердин азыраак тыгыздыгын жана жабдуулардын иштөө убактысын узарткан.